베시, '50nm 하이브리드 본더' 연내 출격…기술 초격차 확대

베시(Besi) 50nm 하이브리드 본더 '3300 HYBRID N50' 〈이미지=Besi〉
베시(Besi) 50nm 하이브리드 본더 '3300 HYBRID N50' 〈이미지=Besi〉

네덜란드 반도체 후공정 장비 기업 베시(Besi)가 올해 안에 정밀도를 두 배 높인 차세대 하이브리드 본더를 출시한다. 이미 100nm급 시장을 선점한 상황에서 50nm급 신장비를 투입해 고층 적층 HBM4e 시장 주도권을 굳힌다는 전략이다.

31일 업계에 따르면 베시는 최근 투자자 설명회에서 차세대 하이브리드 본딩 모델인 '3300 HYBRID N50'의 2026년 출시를 공식화했다. 해당 장비는 기존 주력 모델인 100nm급(8800 CHAMEO ultra plus AC) 대비 얼라인먼트(정렬) 정확도를 50nm 수준으로 개선한 것이 특징이다. 패드 피치(Pad Pitch)는 3μm 미만까지 구현 가능하며, 시간당 생산량(UPH)은 3000매 이상으로 기존 대비 약 50% 향상됐다.

현재 베시는 100nm급 모델을 통해 하이브리드 본딩 시장을 사실상 독점하고 있다. 현재까지 누적 주문은 150대 이상이며, 고객사 수는 18개로 늘어났다. 특정 로직 반도체 고객사에는 이미 6개 생산 라인에 총 30대 규모 장비가 도입돼 가동 중인 것으로 확인됐다.

업계에서는 50nm급 장비가 16단 이상의 HBM4e 양산에서 핵심 분수령이 될 것으로 보고 있다. 하이브리드 본딩은 범프 없이 칩을 직접 접합하는 방식으로, 기존 열압착(TC) 방식보다 미세한 공정이 가능해 AI용 고성능 컴퓨팅(HPC) 패키징의 필수 기술로 꼽힌다. 베시는 어플라이드 머티어리얼즈(AMAT)와 협력해 다이투웨이퍼(D2W) 플랫폼을 공동 개발하며 생태계를 확장하고 있다.

베시가 100nm급 양산 신뢰성을 발판 삼아 반 세대 앞선 50nm 카드를 먼저 꺼내 들면서, 국산화를 추진 중인 국내 소부장 업계의 추격 부담은 한층 커지게 됐다. 베시는 로드맵을 통해 향후 25nm급 정확도와 1μm 미만의 패드 피치를 구현하는 차세대 기술 계획까지 제시한 상태다.

업계 관계자는 “글로벌 공급망 재편에 대응할 수 있는 국내 장비 생태계의 빠른 진입과 양산 신뢰성 확보가 무엇보다 중요한 시기”라고 설명했다.

이형두 기자 dudu@etnews.com