글로벌 장비사 어플라이드 머티어리얼즈가 미국 실리콘밸리에 대규모 반도체 공동 연구개발(R&D) 거점을 마련했다. 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 반도체 기업과 소재·장비·공정 기술을 함께 개발해 연구 성과의 양산 적용을 앞당길 계획이다.
어플라이드는 12일(현지시간) 미국 캘리포니아주 서니베일에서 'EPIC 센터'를 공개했다고 밝혔다.
건물 규모는 60만제곱피트(약 5만6000㎡)로, 내부에 약 4에이커(약 1만6000㎡) 규모 첨단 클린룸을 갖췄다. 반도체 공정 기술과 제조장비 공동 연구개발을 위한 전용 시설로 세계 최대 규모다. 고객 프로젝트가 시작되면서 총 자본지출은 장기적으로 약 50억달러까지 확대될 전망이다.
창립 파트너로는 삼성전자와 SK하이닉스를 비롯해 TSMC·인텔·마이크론이 참여한다. 각사는 자체 기술 로드맵에 따른 개발 과제와 엔지니어를 투입해 어플라이드 연구진과 협력한다.
삼성전자는 첨단 로직·메모리·첨단 패키징 전반에서 기술 개발과 적용을 가속한다. 송재혁 삼성전자 DS부문 최고기술책임자(CTO)는 “어플라이드는 세 영역 모두 독보적인 공정 장비 역량을 갖추고 있다”며 “EPIC에서 협력해 AI 확장에 필요한 속도에 맞춰 혁신 기술을 개발하고 적용할 것”이라고 말했다.
SK하이닉스는 고대역폭메모리(HBM)·D램·낸드의 기술 전환에 필요한 소재·제조기술 협력을 추진한다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 “AI 컴퓨팅의 핵심 과제는 프로세서를 충분히 활용할 수 있도록 데이터를 빠르게 전달하는 것”이라며 “첨단 메모리 역량과 어플라이드의 소재·반도체 제조기술 역량을 결합해 메모리 혁신을 가속하겠다”고 말했다.
EPIC 센터의 핵심은 분리돼 있던 연구개발 단계를 한 공간에서 병행하는 것이다. 기존에는 기초 소재 연구, 장비·공정 개발, 공정 통합·시험생산이 서로 다른 곳에서 차례대로 이뤄졌다. EPIC에서는 소재 연구자와 장비 개발자, 반도체 제조사 엔지니어가 함께 기술을 개발하고 검증해 단계별 이전에 드는 시간을 줄인다.
게리 디커슨 어플라이드 최고경영자(CEO)는 “AI 인프라 확장으로 반도체 제조 기술의 복잡성이 전례 없이 커지고 있다”며 “차세대 반도체 기술을 개발하고 상용화하기 위한 업계의 협력 방식을 재설계해야 한다”고 말했다.
박유민 기자 newmin@etnews.com
