삼성전자가 기존 모바일 D램 보다 8배 빠른 차세대 ‘WIDE IO 모바일 D램’을 개발했다고 21일 밝혔다.
이번에 개발한 제품은 50나노급 공정을 적용한 1Gb 제품으로 기존 모바일 D램(MDDR)의 데이터 전송속도 1.6GB/s보다 8배 빠른 12.8GB/s의 데이터 속도를 지원한다. 이는 1초에 DVD급 영화 2편, 음악파일 3200곡을 전송할 수 있는 속도다.
이 제품은 데이터 입출력 핀 수를 기존 모바일 D램의 32개 보다 16배 많은 512개로 늘여, 초당 데이터 전송속도를 획기적으로 증가시켰고 소비전력도 87%를 절감할 수 있다.
삼성전자는 이번에 개발된 ‘WIDE IO 모바일 D램’ 기술을 기반으로 주요 고객과 개발 단계부터 협력을 강화해 2013년부터는 20나노급 미세공정을 적용한 4Gb 제품을 본격 공급할 계획이다. 또 반도체표준협의기구인 JEDEC과 협의해 빠른 시일내 표준규격을 만들기로 했다.
삼성전자 반도체사업부 전략마케팅팀 소병세 전무는 “초고속 `WIDE IO 모바일 D램`을 사용해 고객들이 더욱 성능을 높인 그린 모바일 기기를 개발할 수 있도록 할 것”이라며 “향후에도 대용량 고성능의 모바일향 그린 메모리 제품을 지속 개발해 모바일 시장의 성장을 견인해 나갈 것”이라고 밝혔다. 한편 삼성전자는 이달 20일부터 24일까지 미국 샌프란시스코에서 열리는 국제반도체학술회의(ISSCC)에서 `WIDE IO 모바일 D램` 기술 논문을 소개한다.
시장조사기관 아이서플라이는 모바일 기기당 D램 탑재 용량의 증가로 인해 전 세계 D램 시장에서의 모바일 D램 비중이 2010년 11%에서 2014년 17%로 꾸준히 증가할 것으로 예상했다.
유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr