차선용 SK하이닉스 부사장이 데이터가 폭증하는 시대에서 전력 효율성을 극대화할 수 있는 차세대 메모리 기술을 소개했다. 그는 SK하이닉스는 데이터를 빠른 속도로 전송하면서 에너지 절약을 실현할 메모리 반도체를 개발할 것이라고 강조했다.
3일 막을 올린 국내 최대 반도체 전시회 '세미콘코리아 2021'의 기조연설자로 오른 차선용 SK하이닉스 부사장은 오늘날 폭발적인 데이터 증가에 대응할 수 있는 차세대 메모리 기술을 소개했다.
차선용 부사장은 오늘날 인공지능(AI), 5세대(G) 통신 개화 등으로 정보통신기술(ICT) 시장이 급변하고 있다고 설명했다.
차 부사장은 특히 데이터센터 시장의 성장세를 주목했다. 다수 데이터가 클라우드에 저장되는데다 코로나19 팬데믹 이후 비대면 수요까지 급증하면서 이를 관리하는 데이터센터 시장은 5년 내 2배 이상 성장할 전망이다.
차선용 부사장은 “ICT 시장에서 매 단계마다 정보를 저장하고 처리하는 메모리 역할은 필수적”이라면서 “데이터 수요에 비해 메모리 칩 공급이 부족해지는 상황이 올 수도 있다”고 예측했다.
또 그는 데이터 처리량 증가로 전력 소모까지 크게 늘면서 각종 환경 문제가 발생할 수 있다는 우려도 제기했다.
결국 메모리 제조업체에서는 각종 정보를 보다 빠르게 처리하면서도, 전력 소모를 최소화할 수 있는 개발해야 하는 과제에 직면했다는 게 그의 생각이다.
차선용 부사장은 세 가지 차세대 메모리 기술이 이러한 문제를 해소할 수 있다고 주장했다. 그가 소개한 기술은 고대역폭 메모리(HBM), 초저전력메모리(ULM), 액셀러레이션 인 메모리(AiM) 기술이다.
IT 기기 내 두뇌 역할을 하는 시스템온칩(SoC)와의 융합, SoC 칩과 메모리 간 데이터 교환 거리 축소로 전력 효율을 극대화하는 것이 차세대 메모리 기술을 관통하는 키워드다.
HBM 기술은 기존 D램과 달리 ICT 기기 내에서 '두뇌' 역할을 하는 CPU 바로 옆에 붙어서 D램의 역할을 구현하는 기술을 말한다.
실리콘관통전극(TSV)이라는 패키징 기술로 D램 다이를 수직으로 쌓아올렸기 때문에 대역폭을 기존보다 최대 32배 끌어올린 기술이다. 기존 D램보다 거리도 가까워진데다, 대역폭이 크게 늘었기 때문에 정보처리 속도를 크게 늘리면서 전력 효율은 40%나 개선할 수 있다.
SK하이닉스는 2013년 업계에서 가장 처음 이 기술을 선보였고, 최근에는 HBM2E라는 기술로 전력 효율을 갈수록 개선해나가고 있다.
ULM은 시스템온칩(SoC) 안에 들어가는 메모리 기술로, 필요하지 않은 메모리 블록은 걷어낸 뒤 꼭 필요한 정보 처리 기능을 수행하는 '맞춤형' 제품이다. 차 부사장은 “SoC 업체와의 협업으로 성능 개선과 전력 절감을 가져오는 것이 장점”이라고 전했다.
또 AI 연산 기능을 아예 메모리 안으로 가져와 속도를 높이는 AiM 기술도 활발하게 연구 중이다.
차선용 부사장은 연설을 마무리 하면서 “데이터 저장과 연산이 동시에 가능한 디바이스가 출현하는 포스트 폰노이만 시대가 도래할 것이고, 이는 에너지 효율을 높일 것”이라며 “SK하이닉스는 기존 제품 외 다양한 솔루션 제품을 개발 및 협업하면서 제품군을 늘려 나갈 것”이라고 말했다.
강해령기자 kang@etnews.com