SK하이닉스, '제4회 혁신특허포상' 실시

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민경현 SK하이닉스 특허담당 부사장, 차선용 D램 개발담당 부사장, 이강설 D램 개발 TL, 김용미 D램 개발 TL, 김윤욱 지속경영담당 부사장이 시상식 후 기념촬영하고있다.
<민경현 SK하이닉스 특허담당 부사장, 차선용 D램 개발담당 부사장, 이강설 D램 개발 TL, 김용미 D램 개발 TL, 김윤욱 지속경영담당 부사장이 시상식 후 기념촬영하고있다.>

SK하이닉스가 '제4회 혁신특허포상 시상식'을 개최했다고 25일 밝혔다.

시상식은 김윤욱 SK하이닉스 지속경영담당 부사장, 민경현 특허담당 부사장 등 담당 임직원이 지난 23·24일 경기 이천, 분당에서 근무하는 수상자들을 찾아가는 방식으로 진행됐다. 시상식 최고상은 총 2건이다.

D램 회로 면적을 줄이고 일정 시간 데이터를 유지하는 리프레시 기능을 개선한 이강설·김용미 D램 개발 TL, D램 내부 배선 콘택트 저항을 낮추고 불량률을 저하한 김승범 미래기술연구원 TL이 수상했다.

SK하이닉스는 낸드, 이미지센서(CIS), 패키지인테스트(P&T) 등 다양한 기술 분야에 걸쳐 혁신 특허 10건을 선정했다. 혁신 특허 발명 재직 연구원 17명에 상패와 총상금 2억4000만원을 수여했다.

SK하이닉스는 2018년 혁신특허포상 제도를 시행해 임직원들의 연구 의욕을 고취하고 강한 특허를 발굴하는데 앞장서고 있다. 이 제도는 SK하이닉스 등록 특허 중 매출 증대와 기술 문제 해결에 크게 기여한 혁신 특허를 선정해 이를 발명한 재직 연구원을 포상하는 방식으로 운영된다. SK하이닉스는 세계 2만건 이상 특허를 보유 중이며 향후 강한 특허를 지속적으로 발굴해 글로벌 반도체 경쟁력을 강화할 방침이다.

김지웅기자 jw0316@etnews.com