SK하이닉스는 고방열 모바일 D램 제품을 개발해 고객사에 공급했다고 28일 밝혔다.
업계 최초로 열전도 계수가 높은 에폭시 몰딩 컴파운드(High-K EMC) 소재를 개발·적용했다.
EMC는 반도체를 수분, 열, 충격, 전하 등 다양한 외부 환경으로부터 밀봉해 보호하고 열을 방출하는 통로 역할을 하는 후공정 필수 재료다.
SK하이닉스는 EMC 소재로 사용하던 실리카(Silica)에 알루미나(Alumina)를 혼합 적용한 신소재 '하이케이 EMC'를 개발했다고 설명했다. 열전도도가 기존 대비 3.5배 향상됐고, 열 저항은 47% 개선했다.
최신 플래그십 스마트폰은 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) 위에 D램을 적층하는 패키지 온 패키지(PoP) 방식이다. 이 구조는 한정된 공간을 효율적으로 활용하고 데이터 처리 속도를 향상시킨다.
하지만 최근 스마트폰은 인공지능(AI) 기능으로 기기 내 데이터 고속 처리가 필요해지면서 발열 문제가 커졌다. 모바일 AP에서 발생한 열이 D램 내부에 누적되면 전체적인 스마트폰 성능 저하를 초래한다.
SK하이닉스는 이같은 문제 해결을 위해 고방열 모바일 D램을 개발했다. 방열 성능이 향상돼 스마트폰 성능 개선과 소비전력 절감에 기여할 것으로 기대된다.
이규제 SK하이닉스 PKG제품개발담당(부사장)은 “소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 구축해 나가겠다”고 강조했다.
박진형 기자 jin@etnews.com
