기존 D램보다 속도가 10배 정도 빠른 메모리 기술이 선보였다.
IBM은 S램과 D램의 강점을 활용해 속도는 10배 높이고 저장 용량은 3배 이상 늘려 결과적으로 전체 컴퓨터 성능을 최소 두 배 이상 높일 수 있는 차세대 메모리 ‘eD램(임베디드 D램)’을 개발했다고 밝혔다. 이 기술은 속도가 빨라 주로 캐시 메모리 용도로 사용하는 ‘S램’과 기억 밀도가 높고 가격이 싼 ‘D램’의 강점을 활용했다. IBM 측은 S램과 D램 단점을 보완한 이 메모리는 주로 네트워킹·게임·멀티미디어 기기에 사용될 것으로 기대했다.
IBM 반도체 연구소 리사 수 부사장은 “기존 메모리 성능을 한 단계 높이는 새로운 기술”이라고 말했다.
IBM은 45나노 공정 기반의 eD램이 2008년께 시장에 선보일 것으로 예측했다.
강병준기자@전자신문, bjkang@