한국외대 전자공학과 이성현 교수(교신저자)는 홍서영 석사과정생(제1저자)과 함께 실리콘 상보성금속산화(CMOS) 트랜지스터의 게이트 전압 종속 출력 캐패시턴스 특성의 원리와 고주파(RF) 채널저항의 존재를 최초로 규명했다고 26일 밝혔다.
반도체 미세공정기술의 급격한 발달과 함께 RF성능이 크게 향상되고 있는 CMOS 트랜지스터는 기존 바이폴라 트랜지스터나 화합물반도체 트랜지스터보다 저전력화, 고집적화, 단일칩화의 측면에서 탁월하고 가격 경쟁력이 우수하기 때문에 대부분의 RF용 반도체 집적회로(IC) 칩 제조에 사용되는 핵심소자다.
이성현 교수 연구팀의 논문은 이동통신용 단말기 등의 반도체 실리콘 RF IC 칩 설계를 위해 필수적으로 사용되는 CMOS 트랜지스터 모델의 바이어스 종속 RF 등가회로를 새롭게 구축했다. 또 물리적으로 검증하여 모델 정확도 향상에 기여하였다는 점에서 가치 있는 기반 기술 연구로 평가된다.
김명희기자 noprint@etnews.com
