램리서치, ALD 기술 강화한 신제품 '스트라이커 FE' 출시

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램리서치 스트라이커 FE. <사진=램리서치>
<램리서치 스트라이커 FE. <사진=램리서치>>

세계적 반도체 장비 업체 램리서치는 원자층증착(ALD) 공법 기반 시스템 '스트라이커 FE' 플랫폼을 발표했다. 차세대 증착 기술로 불리는 ALD 관련 제품군을 늘려가는 모습이다.

22일 업계에 따르면 램리서치는 차세대 ALD 장비인 '스트라이커 FE'를 출시했다.

신제품은 3D 낸드플래시, D램, 소자 등 반도체 공정 중 특정 물질을 회로 틈새에 채우는 '갭필(Gapfill)' 공정에 주로 쓰일 것으로 보인다. 낸드플래시 공정에서 나이트라이드를 걷어낸 뒤 텅스텐을 주입해 전기적 연결을 만드는 것이 갭필의 대표적 예다.

램리서치 신규 장비는 갭필을 보다 효율적으로 해낼 수 있는 자사 독자 기술 '아이스필(ICEFill) 기술을 탑재했다.

그간 반도체 제조에서 갭필 공정에서는 기존에도 잘 알려진 화학기상증착(CVD), 확산과 퍼니스, 스핀 온공정이 활용됐다.

램리서치는 기존 기술로는 회로와 크기가 줄어드는 차세대 반도체를 만드는 데 제한이 있다고 주장한다. 수축 현상, 갭필 공정 중 생기는 구멍인 '보이드(void)'를 피해갈 수 없어 수율이 낮아지기 때문이다.

반면에 램리서치 아이스필 기술은 독특한 ALD 기술을 사용한다. 표면부터 차곡차곡 특정 물질을 쌓아올려 공간을 채우는 '선택적 상향식(바텀-업)' 공정으로 보이드를 최소화한다. 진공 공간과 웨이퍼 모두에서 화학 반응이 일어나는 CVD 방식보다 정교하고 일정하게 박막을 쌓을 수 있는 것이 장점이다.

램리서치 관계자는 “이 장비로 3D NAND 소자에서의 고종횡비 제조를 수월하게 하고 D램과 로직 소자의 쓰러짐 문제도 방지할 수 있다”고 말했다.

세사 바라다라얀 램리서치 증착사업부장은 “우리의 목표는 실현 가능한 최고의 ALD 기술을 고객에게 제공하는 것”이라며 “이 기술을 사용하면 단일 공정 시스템에서 뛰어난 갭필 성능을 가진 양질의 산화막을 생산할 수 있다”고 전했다.

강해령기자 kang@etnews.com