SK하이닉스가 극자외선(EUV) 장비를 활용한 10나노미터(㎚)급 4세대(1a) 모바일 D램 양산을 개시했다. EUV를 활용한 1a D램 양산을 공식화한 건 SK하이닉스가 처음이다. SK하이닉스는 올해를 'EUV 원년'으로 삼고 메모리 생산성과 원가 경쟁력 개선에 집중할 계획이다.
SK하이닉스는 10나노급 1a 미세 공정으로 8기가비트(Gbit) LPDDR4 모바일 D램 양산을 이달 초 시작했다고 12일 밝혔다.
1a는 업계에서 통용되는 10나노급 4세대 D램이란 의미다. 3세대(1z) 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 많다. 또 신제품은 LPDDR4 모바일 D램 최고 속도(4266Mbps)를 안정적으로 구현했다. 기존 제품 대비 전력 소비는 20% 줄였다. 신제품은 올 하반기부터 스마트폰 제조사에 공급될 예정이다.
신제품은 SK하이닉스 D램 가운데 처음으로 EUV 공정 기술로 양산해 더욱 주목된다. EUV는 기존 불화아르곤(ArF)보다 파장 길이가 14분의 1 수준으로 짧다. 반도체 미세 회로 구현에 유리하다. 업계가 EUV 공정 기술을 앞다퉈 도입하는 것도 이 때문이다. EUV 활용 수준이 D램 양산 기술력을 좌우할 핵심 요소로 떠올랐기 때문이다. SK하이닉스는 현재 EUV 장비를 총 3대 보유한 것으로 알려졌다. 1a D램은 SK하이닉스 M14 또는 M16 팹에서 양산되는 것으로 추정된다.
SK하이닉스가 업계 최초로 EUV 1a D램 시대를 열면서 양산 속도 면에서 앞서게 됐다. 아직 양산 초기 단계이다 보니 생산 능력은 크지 않다. 그러나 앞선 양산 능력으로 시장을 선점했다는 데 의미가 있다.
삼성전자는 지난해 업계 최초로 EUV 공정으로 1세대(1x) D램 양산을 시작했다. 그러나 아직 1a 양산은 공식화하지 못했다. 미국 마이크론이 1a D램 양산을 발표했지만 EUV를 활용한 공정은 아니다. 마이크론도 미세 공정을 위해 EUV 장비 도입을 검토하고 있다.
SK하이닉스는 이보다 앞서 2세대(1y) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입, 안정성을 확인했다. 이번에 1a D램 양산으로 EUV 공정 기술력을 재확인한 만큼 향후 1a D램의 모든 제품을 EUV를 활용해 생산할 계획이다. SK하이닉스는 올해 세계적으로 D램 수요가 확대되면서 글로벌 메모리 반도체 수급에 1a D램이 큰 역할을 해 줄 것으로 기대했다.
또 SK하이닉스는 이번 LPDDR4 제품에 이어 차세대 DDR5에는 내년 초부터 1a 기술을 적용할 방침이다.
조영만 SK하이닉스 1a D램 태스크포스(TF)장(부사장)은 “이번 1a D램은 생산성과 원가 경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품”이라면서 “EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업으로의 위상을 공고히 할 수 있을 것”이라고 밝혔다.
권동준기자 djkwon@etnews.com
