DB하이텍이 에이프로세미콘·부산테크노파크와 질화갈륨(GaN)·실리콘카바이드(SiC) 등 차세대 전력반도체를 개발한다.
DB하이텍은 18일 차세대 전력반도체 제조에 필요한 핵심 장비를 도입하고 초기 투자를 단행하며 개발에 박차를 가하고 있다고 밝혔다.
GaN 반도체 설계(팹리스) 기업 에이프로세미콘과 반도체 위탁생산(파운드리) 공정 특성을 향상시키고, SiC는 국책과제 일환으로 부산테크노파크 등과 개발하고 있다.
GaN·SiC 소재 반도체는 실리콘(Si) 기반 반도체 대비 고전압·고주파·고온에 강하며 전력 효율이 높다. 이 같은 강점으로 전기차, 신재생에너지, 고속충전, 5G 등 미래 산업의 전력반도체로 주목 받고 있다.
DB하이텍은 GaN·SiC 기반 전력반도체 라인업 확대로 미래를 준비, 8인치 전력반도체 시장에 적기에 진입할 계획이다.
박종진 기자 truth@etnews.com
