아이브이웍스는 레이더 증폭기용 8인치 'GaN on SiC' 에피웨이퍼 개발에 성공했다고 10일 밝혔다.
GaN 웨이퍼는 전력변환용(GaN on Si)과 증폭기용(GaN on SiC)으로 구분된다. GaN을 실리콘(Si) 또는 실리콘카바이드(SiC)에 증착하느냐의 차이다.
전력변환용은 8인치 웨이퍼가 일반적이지만 증폭기용은 현재 4인치·6인치가 대세다. 8인치 크기로 GaN on SiC를 개발한 건 아이브이웍스가 처음이다. 통상적으로 웨이퍼 크기가 클 수록 생산성이 높아진다.
회사는 자체 개발한 인공지능(AI) 기반 에피웨이퍼 생산시스템을 활용했다고 설명했다. GaN 에피웨이퍼 성장 시 원자층 수준으로 성장과정을 파악하고 품질을 예측해 장비를 제어하는 체계를 통해 생산효율을 개선하고, 우수 특성도 확보했다고 덧붙였다.
아이브이웍스는 국방기술진흥연구소와 2021년 협약을 맺고 5년간 레이더 증폭기용 GaN on SiC 에피웨이퍼를 개발해왔다. 당초 최종 개발 목표였던 6인치 개발을 조기에 성공하고 고객사 요청으로 8인치 개발에도 성공, 이번에 첫 공급했다.
노영균 아이브이웍스 대표는 “세계에서 경쟁할 수 있는 소재가 될 것”이라며 “성과를 기반으로 국방반도체 공급망 경쟁력 제고에 기여하겠다”고 밝혔다.
권동준 기자 djkwon@etnews.com
