삼성전자가 세계 최초로 차세대 고대역폭메모리 'HBM4' 양산 출하에 성공했다.
최선단 1c 나노(10나노급 6세대) D램과 4나노 파운드리 공정 결합을 통해 차세대 AI 메모리 시장 선점에 나섰다.
삼성전자는 HBM4를 양산해 출하를 시작했다고 12일 밝혔다.
성능의 벽도 뛰어넘었다. 삼성전자는 개발 단계부터 국제 반도체 표준 기구(JEDEC)의 기준(8Gbps)을 무려 46% 웃도는 11.7Gbps의 동작 속도를 확보했다.
특히 기술적 한계치로 여겨졌던 최대 13Gbps까지 구현 가능하다. AI 모델이 커질수록 발생하는 데이터 병목 현상을 해결했다.
단일 스택 기준 최대 대역폭은 3.3TB/s로, 전작인 HBM3E 대비 약 2.7배나 상승했다. 용량 측면에서도 혁신을 이뤘다. 12단 적층으로 24~36GB를 우선 공급하고, 향후 16단 기술을 적용해 단일 패키지 기준 최대 48GB까지 용량을 확대할 계획이다.
이번 HBM4의 조기 양산 성공 비결은 삼성전자 '초격차 기술' 투입으로 꼽힌다. 삼성전자는 기존의 안정성 위주 공정에서 탈피해, 가장 앞선 공정인 1c D램과 파운드리 4나노를 베이스 다이에 전격 도입했다.
황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 “공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장 여력을 충분히 확보했다”며 “이를 통해 고객사의 까다로운 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다”고 강조했다.
삼성전자는 시장의 폭발적인 수요에 맞춰 올해 HBM 매출이 올해보다 3배 이상 증가할 것으로 내다보고 있다. 이를 위해 평택 2단지 5라인을 HBM 핵심 거점으로 활용하는 등 인프라 투자에도 박차를 가한다.
삼성전자는 HBM4에 이어 HBM4E도 준비 중으로 올해 하반기에 샘플을 출하할 계획이다.
박유민 기자 newmin@etnews.com
