삼성전자는 23일 자사 반도체 뉴스룸을 통해 최정민 파운드리사업부 기술개발실 PL이 대한민국 엔지니어상을 수상했다고 밝혔다.
최 PL은 3차원 구조 트랜지스터(FinFET) 기반의 4나노 초저전력 반도체 공정 기술을 개발한 공로를 인정받아 지난 3월 과학기술정보통신부가 주최하고 한국산업기술진흥협회가 주관하는 대한민국 엔지니어상을 수상했다.
그는 반도체 소자의 공정과 레이아웃(설계)을 최적화해 전력 소모를 줄이면서도 성능을 높이는 초저전력 공정 기술 개발을 주도했다. 트랜지스터 높이와 소자 내 접촉부(컨택) 구조를 개선해 정전용량을 줄이고, 이를 통해 불필요한 전력 소모를 낮추면서 성능 향상을 구현했다는 설명이다.
최 PL은 “4나노 초저전력 공정 기술을 선제적으로 도입해 HBM4 베이스다이 개발 및 양산화에 기여했다”며 “HBM 베이스다이는 적층된 D램과 GPU, AI 가속기 등을 연결해 데이터와 전원, 제어 신호를 관리하는 핵심 칩으로, 초저전력·고성능 공정을 통해 데이터 처리 성능을 높일 수 있었다”고 말했다.
최 PL는 메모리사업부에서 커리어를 시작해 2008년 파운드리사업부로 이동한 이후 45나노부터 현재의 4나노 공정까지 다양한 로직 제품의 개발과 양산을 맡아왔다.
이 같은 기술 격차 확보에 힘입어 최근 삼성전자 파운드리사업부의 4나노 라인은 사실상 풀가동 체제에 돌입한 것으로 파악됐다.
박유민 기자 newmin@etnews.com
