삼성전자가 세계 최대 메모리·스토리지 컨퍼런스인 'FMS 2026(Future of Memory and Storage)'에서 2개 부문을 수상했다.
삼성전자는 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 FMS 2026 'Best of Show Awards'에서 'V10 BV-낸드(NAND)'로 3D 낸드 혁신상(3D & NAND Innovation Award)을, 'LPDDR5X-PIM'으로 차세대 메모리상(Next-Gen Memory Award)을 각각 받았다.
V10 BV-낸드는 400단 이상 초고적층 구조를 구현한 차세대 V낸드 기술이다. 웨이퍼를 수직으로 접합하는 본딩 버티컬(BV·Bonding Vertical) 기술과 V낸드 셀을 3개 층으로 연결하는 3-스택 구조를 적용했다. 이전 세대(V9) 대비 메모리 밀도를 약 58% 높이고 읽기·쓰기 성능과 전력 효율을 개선해 AI 시대 폭증하는 데이터 저장 수요에 대응할 핵심 기술로 평가받는다.
LPDDR5X-PIM은 저전력 D램인 LPDDR5X에 프로세싱 인 메모리(PIM) 기술을 세계 최초로 적용한 제품이다. 메모리 내부에서 직접 연산을 수행한 뒤 결과만 프로세서에 전달하는 구조로, 시스템 내 데이터 이동을 최소화해 성능과 전력 효율을 동시에 높였다. AI 가속기와 고성능 컴퓨팅(HPC) 등 저전력·고성능이 필수적인 분야에서 활용도가 높을 것으로 기대된다.
삼성전자는 6일(현지시간)까지 열리는 FMS 2026에서 차세대 메모리 로드맵과 AI 메모리 솔루션, 차세대 스토리지 기술 등을 선보일 예정이다.
이형두 기자 dudu@etnews.com
