차세대 웨이퍼 소재의 중요성이 커지는 가운데, 관련 산·학·연 협력 체계를 구축하기 위한 포럼이 구미에서 열렸다.
한국세라믹학회 엔지니어링세라믹부회(KECD)와 차세대결정공학부회가 공동 주최하고 경북·구미 반도체특화단지추진단 등이 공동 주관한 '2026 차세대 반도체용 웨이퍼 기술 포럼'이 지난 22일 구미시 금오산 호텔에서 개최됐다.
주최 측은 이번 포럼을 시작으로 국내 차세대 웨이퍼 산학연 생태계를 확장하고, 향후 구미특화단지가 추진하는 '첨단 반도체 소재부품 제조 파운데이션 플랫폼' 사업과 연계해 웨이퍼 제조 역량을 강화할 계획이라고 밝혔다. 태동 단계인 차세대 웨이퍼 기업의 기술 수요를 발굴하고 실질적인 사업화 협력으로 잇겠다는 구상이다.
이날 행사에는 학·연 전문가 58명과 SK실트론, 이화다이아몬드, 티씨케이 등 기업 관계자 30여명이 참석했다. 남옥현 한국공학대 교수가 다이아몬드 웨이퍼 기술과 차세대 소자 응용을, 이광재 순천향대 교수가 GaN 웨이퍼 소재·공정을, 이원재 동의대 교수가 SiC 웨이퍼 성장·가공·결함 제어를 발표했다.
오후에는 전대우 KICET 단장이 초광대역갭 Ga2O3 웨이퍼 기술과 전망을, 전대현 SK실트론 연구위원이 HBM 및 첨단 패키지용 Si 웨이퍼 기술 현황과 고도화 방향을 소개했다.
이현권 KECD 회장(경북·구미 반도체 소재부품 특화단지 추진단장)은 “AI 및 전력 반도체 시장 주도권을 잡으려면 잉곳 성장부터 절단·연마, 결함 분석까지 전주기 기술 협력이 필수”라며 “구미특화단지를 중심으로 전국 반도체·첨단소재 기반과 학연 역량을 결합하는 완성형 플랫폼 구축의 첫걸음이 될 것”이라고 말했다.
차세대 웨이퍼는 기존 실리콘(Si) 웨이퍼 이외 질화갈륨(GaN) 탄화규소(SiC) 등 화합물 소재로 구성된 웨이퍼를 의미한다. 통상 전력반도체에 필요한 고내압성, 저손실성, 고방열성을 갖췄다.
이형두 기자 dudu@etnews.com
