하이닉스반도체가 내년 하반기부터 양산하기로 한 41나노 32Gb 플래시메모리부터 구리공정을 적용, 제품 경쟁력을 확보할 수 있게 될 전망이다.
6일 정부와 관련업계에 따르면 환경부는 무방류시스템을 갖추는 조건으로 이천의 기존 공장에서 구리공정을 사용할 수 있도록 허용하는 내용을 골자로 한 수질환경보존법 시행령 및 시행규칙 개정안을 10일 발표할 것으로 알려졌다.
환경부 관계자는 “이천에서 증설하는 공장에 구리공정을 허용하는 것이 아니라 기존 공장에 무방류시스템을 갖춘다는 전제로 허용하는 내용이 될 것”이라고 밝혔다.
이에 따라 하이닉스반도체는 이천 M10 팹의 알루미늄 공정을 구리공정으로 전환하는 방안 등 대책 마력에 나섰다.
하이닉스는 예정대로 41나노 32Gb 플래시메모리를 구리공정 제약이 없는 청주의 M11 팹이 내년 하반기에 완공되면 양산할 계획이다. 이천의 M10팹에서는 알루미늄 공정인 48나노 16Gb 플래시메모리를 내년 초부터 양산할 예정이다. 따라서 M10 팹의 구리공정 전환은 일러야 청주공장과 같은 시기가 될 것으로 예상된다.
하이닉스는 또 60나노급 이상의 공정을 사용하고 있는 D램 팹도 점차 구리공정으로 전환할 수 있어 제품 경쟁력을 높일 수 있을 것으로 기대했지만 D램은 미세공정화 속도가 낸드 플래시메모리보다 늦어 더 중장기적인 계획으로 구리공정 전환 계획을 세운다는 방침이다.
하이닉스는 M10 300㎜ 팹에서 낸드플래시메모리와 D램을, M7 200㎜ 팹에서는 D램만을 생산하고 있다.
그러나 하이닉스는 환경부의 결정이 기존 공장에만 구리공정을 허용한다면 이천공장 증설 문제가 풀린 후에 새로 들어설 공장의 구리공정 도입은 추가적으로 정부와 협의해 나가겠다는 방침이다.
하이닉스 관계자는 “반도체 공정기술이 미세화하면서 삼성전자나 인텔 등도 일부 생산라인을 구리공정을 전환하고 있다”며 “하이닉스도 40나노급 제품은 구리공정을 적용해야 할 것”이라고 말했다.
반도체 업체가 구리공정으로 전환하는 이유는 구리가 알루미늄에 비해 전도율이 높고 간섭이 적어 효율적이기 때문이다. 통상 업계에서는 50나노 이하에서는 알루미늄 공정으로는 한계가 있어 구리공정으로 전환하는 추세다.
하이닉스는 정부의 수도권 과밀억제 정책에 의해 이천공장 증설이 불허되고 남한강 상수원보호구역에 묶여 현행법상 구리공정 설비를 도입하지 못하게 됨에 따라 지난 3월 청주공장 증설이라는 선택을 했다.
주문정기자@전자신문, mjjoo@