[나노코리아 2021]과기정통부장관상-신현진 삼성전자 전문연구원

신현진 삼성전자 전문연구원

신현진 삼성전자 종합기술원 무기소재랩 전문연구원은 세계 최저 수준 유전율로 반도체 내부 전기 간섭을 최소화하는 '비정질 질화붕소' 신소재를 발견한 공로로 과학기술정보통신부 장관상을 수상했다.

신 전문연구원은 2차원 소재의 합성과 전자 소자 응용 기술 분야에서 탁월한 연구성과를 거두고 있다. 그래핀, 화이트 그래핀, 이황화 몰리브데늄 등 다양한 2차원 소재의 대면적 성장법을 제시하고 원천기술을 확보했다.
비정질 질화붕소는 화이트 그래핀 파생 소재다. 세계 최저 수준의 유전율 1.78을 확보, 반도체 집적화가 가속되며 생기는 배선간 전기적 간섭이라는 난제를 돌파할 수 있는 길을 제시했다. 비정질 질화붕소는 지난 10년 간 정체됐던 초저유전 소재 한계를 극복, 반도체 패러다임의 변화가 기대된다.

권동준기자 djkwon@etnews.com