매그나칩, 고속 바디 다이오드 탑재한 600V SJ MOSFET 시리즈 출시

44mΩ의 낮은 온저항(RDS(on)) 특성을 가진 전기차 충전기 및 서버용 600V SJ MOSFET 출시

사진=매그나칩
사진=매그나칩

매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 9종 신제품으로 구성된 600V SJ MOSFET (Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 시리즈를 출시했다고 밝혔다.

매그나칩은 이번에 출시된 600V SJ MOSFET 시리즈에 독자 개발한 소자 설계 기술을 도입하여 이전 세대 제품 대비 셀 간격은 그대로 유지하면서 단위 면적당 저항값 (RSP: Specific on-resistance)을 10% 정도 낮추었다.

이번 SJ MOSFET 시리즈에서 주목할 만한 점은 전 제품에 고속 바디 다이오드(fast recovery body diode)가 내장되었다는 것이다. 이 다이오드 기술로 역방향 회복 시간 (trr: reverse recovery time)과 스위칭 손실이 감소하여 시스템 효율이 획기적으로 개선되었다. 그래서, 이전 세대 제품과 비교해 성능 지수(FOM: Figure of Merit)도 10% 이상 향상되어 태양광 인버터, 에너지 저장 시스템, 무정전 전원 설비(UPS: Uninterruptible Power Supply System) 등 산업용 애플리케이션과 다양한 전자 제품에 적용될 수 있다.

특히, 이번 신제품 중 MMQ60R044RFTH는 44mΩ의 낮은 온저항 (RDS(on): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항 특성을 가지고 있어 높은 에너지 효율성과 신뢰성이 요구되는 전기차 충전기와 서버에 최적화되어 있다. 시장조사업체 옴디아 데이터에 따르면, 2023~2026년 실리콘 모스펫 시장은 하이브리드 및 전기차와 서버 부문에서 매년 각각 11%, 7%가량 성장할 것으로 예측된다.

매그나칩 김영준 부회장은 “이번에 600V SJ MOSFET 시리즈를 출시한 데 이어 올해 하반기에는 고속 바디 다이오드를 탑재한 650V와 700V SJ MOSFET 신제품을 추가적으로 공개할 계획이다”라며, “고객과 시장의 요구를 만족시키는 고성능 차세대 파워 솔루션을 지속적으로 공급하여 고객 시장 확대에 기여할 것”이라고 말했다.

전자신문인터넷 서희원 기자 (shw@etnews.com)