아드반테스트, 초고속 DRAM 테스트 시스템 공개

플렉시블한 플랫폼으로 최고 속도, 성능, 정확성 제공
아드반테스트, 차세대 DRAM 장치에 전력 공급 초고속 메모리 테스트 시스템 T5801.
아드반테스트, 차세대 DRAM 장치에 전력 공급 초고속 메모리 테스트 시스템 T5801.

반도체 테스트 장비 전문 기업 아드반테스트가 초고속 DRAM 테스트 시스템 T5801을 공개했다.

이 테스트 시스템은 인공지능(AI), 고성능 컴퓨팅(HPC), 엣지 애플리케이션 수요 증가에 중요한 GDDR7, LPDDR6, DDR6 등 고속 메모리 기술을 지원한다.

T5801은 최고 속도 메모리 장치를 위한 정확하고 효율적인 대량 생산 테스트가 가능하다. 데이터센터와 AI 성능 한계를 뛰어넘고 있는 고속 메모리 기술 과제를 해결할 수 있도록 맞춤 제작됐다. 혁신적 프런트엔드유닛(FEU) 아키텍처가 특징으로, 차세대 DRAM 모듈의 엄격한 요구 사항을 처리할 수 있도록 설계돼 최대 36Gbps PAM3(Pulse Amplitude Modulation 3) 및 18Gbps NRZ 성능을 제공한다.

스즈키 마사유키 아드반테스트 상무 겸 메모리 테스트 사업부 총괄 매니저는 “AI 가속기와 엣지 컴퓨팅이 지속 발전함에 따라 메모리 대역폭이 전체 시스템 성능의 잠재적 병목 현상이 되고 있다”면서 “T5801은 고객이 차세대 DRAM 성능을 정확하고 신속하며 안정적으로 검증할 수 있도록 함으로써 시장에 빠르게 출시할 수 있도록 지원한다”고 밝혔다.

이미 전략적 메모리 고객들이 사용하고 있는 T5801 DRAM 테스트 시스템은 내년 초에 전 세계 시장에 출시될 예정이다.

신규 T5801과 아드반테스트 전체 자동화 테스트 장비 및 재료에 대한 자세한 내용은 오는 19일부터 21일까지 서울 코엑스에서 열리는 세미콘 코리아 2025에서 확인할 수있다.

김현민 기자 minkim@etnews.com