창신메모리(CXMT)가 차세대 반도체 구조 '4F²'(포에프스퀘어) 개발에 대한 세부 진전 사항을 공개했다.
1일(현지시간) 펑파이·글로벌타임스 등 중국매체에 따르면 CXMT는 지난달 30일 3분기 실적 발표 및 성명을 통해 4F²에 기반한 6세대 D램 공정 플랫폼 엔지니어링 샘플(ES) 검증을 마쳤다고 처음으로 밝혔다.
엔지니어링 샘플은 제품 출시 전 테스트를 위한 시제품을 뜻한다. 제품 상용화를 위해서는 이 시제품의 검증 단계를 거쳐야 한다.
반도체 웨이퍼 제조 공정에서 노광 공정으로 구현할 수 있는 최소 선폭을 'F'라고 부른다. 4F²은 메모리 1개 단위의 크기가 'F 제곱의 4배'라는 의미다. 현재 D램 주류 구조는 6F²로, 4F²는 이보다 발전해 단위 면적 내 트랜지스터 숫자는 늘고 메모리 집적도도 높아진다.
CXMT 측은 검증 성공이 실제 웨이퍼에서 플랫폼 핵심 성능 목표를 달성했다는 의미이며 고객사 측 검증을 거쳐 양산으로 나아갈 수 있다고 설명했다.
CXMT는 스스로를 이러한 검증을 마친 최초 업체이며, 개발이 순조롭게 진행되면 4F²기반 제품을 세계 최초로 시장에 내놓게 될 것이라고 주장했다.
CXMT 측은 “올해 말 4F² 아키텍처를 사용한 첫 서버용 메모리 제품 'DDR5 RDIMM' 샘플을 보낼 수 있을 것”이라며 “서버 등 부가가치가 높고 집적도 요구가 큰 제품에 우선 적용한 뒤 점차 다른 제품군으로 확대할 것”이라고 밝혔다.
권동준 기자 djkwon@etnews.com
