SK하이닉스, M12 신라인 `낸드+D램` 병행 생산한다

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SK하이닉스가 청주 공장에 구축 중인 `M12` 신라인에서 낸드플래시와 D램을 함께 생산한다. 당초 계획했던 낸드플래시 전용 라인이 아닌 두 가지 제품을 함께 생산하는 `하이브리드 팹`으로 운용한다는 계획이어서 주목된다.

SK하이닉스, M12 신라인 `낸드+D램` 병행 생산한다

SK하이닉스가 M12 신라인을 구축 중인 청주 3공장 전경.
SK하이닉스가 M12 신라인을 구축 중인 청주 3공장 전경.

11일 관련 업계에 따르면 SK하이닉스는 지난달부터 시생산에 착수한 M12 신라인에서 낸드플래시와 D램을 모두 생산할 수 있는 설비를 구축하고 있다. 업계 관계자는 “SK하이닉스가 M12 라인 가동 초기에는 한시적으로 낸드플래시와 D램을 함께 생산한다는 계획”이라며 “이를 위해 낸드플래시와 D램 장비를 동시에 구축하고 있다”고 밝혔다.

SK하이닉스는 연말까지 M12 생산 능력을 월 4만장(300㎜ 웨이퍼 기준) 수준까지 확대할 예정이다. 이 가운데 절반 정도는 D램 생산에 할애할 계획인 것으로 전해졌다. D램과 낸드플래시 생산 라인은 몇몇 특화 공정을 제외하고는 기본적으로 비슷해 용도 전환이 용이하다.

이 같은 전략은 시장 상황변화에 탄력적으로 대응하기 위한 것으로 분석된다. 특히 엘피다 파산 및 삼성전자의 PC향 D램 감산 등의 여파로 시장이 급변했다. 공급이 줄어들자 PC용 D램 가격은 올 들어 33%나 급등하는 등 강세를 보이고 있다. 이에 반해 낸드플래시 가격은 폭락하고 있는 것이 가장 큰 원인이다. 주력 낸드플래시(64GB 8G×8 MLC) 가격은 최근 1년 사이 절반 이하로 떨어졌다.

또 다른 업계 관계자는 “지난해 이후 삼성전자, 도시바, 마이크론 등의 적극적인 증산 영향으로 낸드플래시 가격이 약세를 보이고 있다”며 “낸드플래시 수요는 비교적 견조하지만, 전반적으로 공급 초과인 상황”이라고 밝혔다.

이에 따라 SK하이닉스는 당초 예정됐던 낸드플래시 증산 계획을 일부 조정하고, D램 생산을 확대하는 방향으로 선회한 것으로 풀이된다. 또 시장 상황변화에 따라 D램과 낸드플래시 병행 생산 기간을 탄력적으로 운영한다는 계획인 것으로 전해졌다. 길게는 내년 상반기까지 병행 생산을 유지할 수도 있다는 분석이다.

SK하이닉스 관계자는 “D램과 낸드플래시는 라인 간 전환이 용이하고, 이전에도 한 라인에서 D램과 낸드플래시를 함께 생산한 사례가 있다”며 “M12 신라인도 혼용생산할 수 있도록 설계됐다”고 밝혔다.


주요 업체별 낸드플래시 라인 증설 현황

자료 : 업계. 생산능력은 300㎜ 웨이퍼 기준


양종석기자 jsyang@etnews.com