온세미가 글로벌파운드리(GF)와 협력해 차세대 질화갈륨(GaN) 전력반도체 개발·제조에 나선다.
GaN 전력반도체는 기존 실리콘(Si) 전력반도체보다 스위칭 속도가 빠르고 전력 손실이 적은 화합물 반도체다.
양사는 GF의 200㎜ eMode GaN-on-Si 공정을 활용해 650V급 고성능 GaN 전력 소자를 우선 개발한다. 인공지능(AI) 데이터센터, 전기차, 산업용 설비, 항공우주·방산·보안 등이 시장을 겨냥했다. 내년 상반기 고객사에 시제품을 제공한 뒤 양산에 돌입한다는 계획이다.
온세미는 GF의 GaN 공정에 자사의 실리콘 드라이버, 컨트롤러, 열 특성 강화 패키징 기술을 결합해 전력 밀도와 효율을 높인 통합 전력 솔루션을 제공하기로 했다.
박진형 기자 jin@etnews.com
